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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15887-5-ND
  别名：497-15887-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4185
  仓库库存编号：785-1222-1-ND
  别名：785-1222-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4421
  仓库库存编号：785-1025-1-ND
  别名：785-1025-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7113DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7113DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7113DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86101
  仓库库存编号：FDMS86101CT-ND
  别名：FDMS86101CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60W5LVQCT-ND
  别名：TK20V60W5LVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15893-5-ND
  别名：497-15893-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 840mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4177PR2G
  仓库库存编号：NTMS4177PR2GCT-ND
  别名：NTMS4177PR2GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 141W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R2-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5298-1-ND
  别名：1727-5298-1
  568-6728-1
  568-6728-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ858AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ858AEP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS3 GCT
  BSC070N10NS3 GCT-ND
  BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD26NF10
  仓库库存编号：497-7963-1-ND
  别名：497-7963-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：STP140N6F7
  仓库库存编号：497-15890-5-ND
  别名：497-15890-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC030N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC030N03LS GCT
  BSC030N03LS GCT-ND
  BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS456DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS456DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS456DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB083N10N3 G
  仓库库存编号：IPB083N10N3 GCT-ND
  别名：IPB083N10N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD082N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP45P03P4L11AKSA1
  仓库库存编号：IPP45P03P4L11AKSA1-ND
  别名：IPP45P03P4L-11
  IPP45P03P4L-11-ND
  SP000396382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA36P15P
  仓库库存编号：IXTA36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 37.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA086N10N3 G
  仓库库存编号：IPA086N10N3 G-ND
  别名：IPA086N10N3G
  IPA086N10N3GXKSA1
  SP000485984
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 40.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA105N15N3 G
  仓库库存编号：IPA105N15N3 G-ND
  别名：IPA105N15N3G
  IPA105N15N3GXKSA1
  SP000677850
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16309-5-ND
  别名：497-16309-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 75A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA04EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA04EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA04EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP35NF10
  仓库库存编号：497-2645-5-ND
  别名：497-2645-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4485
  仓库库存编号：785-1551-1-ND
  别名：785-1551-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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