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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 97A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5863NG
  仓库库存编号：NTP5863NG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A25D,S5Q(M
  仓库库存编号：TK20A25DS5Q(M-ND
  别名：TK20A25D(Q)
  TK20A25D(Q)-ND
  TK20A25DQ
  TK20A25DS5Q(M
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 50A（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK50E08K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK50E08K3S1X(S-ND
  别名：TK50E08K3S1X(S
  TK50E08K3S1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4421L
  仓库库存编号：AO4421L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 10A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4485L_102
  仓库库存编号：AO4485L_102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6.2A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6643TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6643TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6643TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD082N10N3 G
  IPD082N10N3 G-ND
  SP000485986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5302DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5302DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5302DTR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI45P03P4L11AKSA1
  仓库库存编号：IPI45P03P4L11AKSA1-ND
  别名：IPI45P03P4L-11
  IPI45P03P4L-11-ND
  SP000396310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC882N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC882N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC882N03MS GCT
  BSC882N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta） 3.6W（Ta），96W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4213DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4213DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4213DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V,
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