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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ52N30P
  仓库库存编号：IXTQ52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ96N15P
  仓库库存编号：IXTQ96N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ110N10P
  仓库库存编号：IXTQ110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH110N10P
  仓库库存编号：IXFH110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N30P
  仓库库存编号：IXFH52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH96N15P
  仓库库存编号：IXFH96N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT52N30P
  仓库库存编号：IXTT52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 480W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT96N15P
  仓库库存编号：IXTT96N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48N20
  仓库库存编号：IXTH48N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT110N10P
  仓库库存编号：IXTT110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N15
  仓库库存编号：IXTH60N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH41N25
  仓库库存编号：IXTH41N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT60N10
  仓库库存编号：IXTT60N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 560W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N55Q2
  仓库库存编号：IXFH36N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N10
  仓库库存编号：IXTH60N10-ND
  
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  MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X160-0055X2-SMD
  仓库库存编号：GMM3X160-0055X2-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X160-0055X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GMM3X160-0055X2-SMDSAM-ND
  
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  MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X180-004X2-SMD
  仓库库存编号：GMM3X180-004X2-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X180-004X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GMM3X180-004X2-SMDSAM-ND
  
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  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SL
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SL-ND
  
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  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SLSAM
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SLSAM-ND
  
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  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SMD
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SMDSAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 29A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR40N50Q2
  仓库库存编号：IXFR40N50Q2-ND
  别名：Q2467741A
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV52N30P
  仓库库存编号：IXFV52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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