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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002CK,215
  仓库库存编号：1727-4790-1-ND
  别名：1727-4790-1
  568-5982-1
  568-5982-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB390UNEYL
  仓库库存编号：1727-2330-1-ND
  别名：1727-2330-1
  568-12616-1
  568-12616-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17483F4T
  仓库库存编号：296-37781-1-ND
  别名：296-37781-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 630mA（Tc） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS209PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS209PWH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ390UNEYL
  仓库库存编号：1727-2234-1-ND
  别名：1727-2234-1
  568-12504-1
  568-12504-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.2A 390mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PMGD130UN,115
  仓库库存编号：568-10792-1-ND
  别名：568-10792-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.1A（Ta） 325mW（Ta），1.275W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV185XN,215
  仓库库存编号：568-10831-1-ND
  别名：568-10831-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V,
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