产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RHU002N06T106
仓库库存编号:
RHU002N06T106CT-ND
别名:RHU002N06T106CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
型号:
ECH8660-TL-H
仓库库存编号:
ECH8660-TL-HOSCT-ND
别名:ECH8660-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount SMT6
型号:
SM6K2T110
仓库库存编号:
SM6K2T110CT-ND
别名:SM6K2T110CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 750mW(Ta) SC-73
型号:
PMT560ENEAX
仓库库存编号:
1727-2725-1-ND
别名:1727-2725-1
568-13289-1
568-13289-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6006-H(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPC6006-H(TE85L,F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1.2W Surface Mount 8-EMH
型号:
EMH2409-TL-H
仓库库存编号:
EMH2409-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 200V 5.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF450L
仓库库存编号:
785-1381-5-ND
别名:785-1381-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.4nC @ 10V,
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