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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J332R,LF
  仓库库存编号：SSM3J332RLFCT-ND
  别名：SSM3J332RLF(TCT
  SSM3J332RLF(TCT-ND
  SSM3J332RLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7504TRPBF
  仓库库存编号：IRF7504TRPBFCT-ND
  别名：IRF7504TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN2A03E6TA
  仓库库存编号：ZXMN2A03E6CT-ND
  别名：ZXMN2A03E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
  
  型号：CSD87312Q3E
  仓库库存编号：296-35526-1-ND
  别名：296-35526-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 400mW（Ta）, 12.5W（Tc） 4-WLCSP（0.78x0.78）
  
  型号：PMCM440VNEZ
  仓库库存编号：1727-2274-1-ND
  别名：1727-2274-1
  568-12560-1
  568-12560-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-WLCSP（0.80x0.80）
  
  型号：FDZ663P
  仓库库存编号：FDZ663PCT-ND
  别名：FDZ663PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 55W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C454NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C454NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C454NLWFTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Ta），36A（Tc） 1.38W（Ta），24.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4970N-35G
  仓库库存编号：NTD4970N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta），36A（Tc） 1.38W（Ta），24.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4970NT4G
  仓库库存编号：NTD4970NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7504TR
  仓库库存编号：IRF7504CT-ND
  别名：*IRF7504TR
  IRF7504
  IRF7504CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7524D1TR
  仓库库存编号：IRF7524D1CT-ND
  别名：*IRF7524D1TR
  IRF7524D1
  IRF7524D1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 41.6W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH16030L,115
  仓库库存编号：PH16030L,115-ND
  别名：934058819115
  PH16030L T/R
  PH16030L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） 8-uSMD
  
  型号：IRF7524D1GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7524D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 4.5V,
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