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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4
  仓库库存编号：296-38912-2-ND
  别名：296-38912-2
  CSD13381F4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM002P02T2L
  仓库库存编号：RZM002P02T2LCT-ND
  别名：RZM002P02T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ320UPEYL
  仓库库存编号：1727-2319-1-ND
  别名：1727-2319-1
  568-12605-1
  568-12605-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4T
  仓库库存编号：296-37779-1-ND
  别名：296-37779-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 350mA 446mW Surface Mount SC-89-6
  
  型号：FDY2000PZ
  仓库库存编号：FDY2000PZCT-ND
  别名：FDY2000PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2328-1-ND
  别名：1727-2328-1
  568-12614-1
  568-12614-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY100PZ
  仓库库存编号：FDY100PZCT-ND
  别名：FDY100PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 2A 390mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN1150UFL3-7
  仓库库存编号：DMN1150UFL3-7DICT-ND
  别名：DMN1150UFL3-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY101PZ
  仓库库存编号：FDY101PZCT-ND
  别名：FDY101PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EM6J1T2R
  仓库库存编号：EM6J1T2RCT-ND
  别名：EM6J1T2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6335N
  仓库库存编号：FDG6335NCT-ND
  别名：FDG6335NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（1.6x1.6）
  
  型号：FDFME3N311ZT
  仓库库存编号：FDFME3N311ZTCT-ND
  别名：FDFME3N311ZTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB320UPEYL
  仓库库存编号：1727-2329-1-ND
  别名：1727-2329-1
  568-12615-1
  568-12615-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2233-1-ND
  别名：1727-2233-1
  568-12503-1
  568-12503-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C002ZPTCL
  仓库库存编号：RU1C002ZPTCLCT-ND
  别名：RU1C002ZPTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  1.2V DRIVE PCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150W（Tc） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C002ZPTL
  仓库库存编号：RE1C002ZPTLCT-ND
  别名：RE1C002ZPTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RZE002P02TL
  仓库库存编号：RZE002P02TLCT-ND
  别名：RZE002P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Tc） 500mW（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ7002K-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ7002K-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3850ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3850ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3850ADV-T1-E3CT
  SI3850ADVT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 150mA 446mW Surface Mount SC-89-6
  
  型号：FDY2001PZ
  仓库库存编号：FDY2001PZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3850ADV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3850ADV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3850ADV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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