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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3474-TL-W
  仓库库存编号：MCH3474-TL-WOSCT-ND
  别名：MCH3474-TL-WOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J213FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J213FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J213FE(TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 1.65W（Ta） 6-DSBGA
  
  型号：CSD13303W1015
  仓库库存编号：296-39990-1-ND
  别名：296-39990-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） CST3B
  
  型号：SSM3J46CTB(TPL3)
  仓库库存编号：SSM3J46CTB(TPL3)CT-ND
  别名：SSM3J46CTB(TPL3)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
  详细描述：P 沟道 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD25310Q2
  仓库库存编号：296-38915-1-ND
  别名：296-38915-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3448-TL-W
  仓库库存编号：CPH3448-TL-W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 1.2W Surface Mount 8-EMH
  
  型号：EMH2408-TL-H
  仓库库存编号：EMH2408-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3A 1.2W Surface Mount 8-EMH
  
  型号：EMH2604-TL-H
  仓库库存编号：EMH2604-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 900mW（Ta） 5-CPH
  
  型号：CPH5871-TL-W
  仓库库存编号：CPH5871-TL-W-ND
  别名：CPH5871-TL-H
  CPH5871-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS2DPFS20V
  仓库库存编号：497-3225-1-ND
  别名：497-3225-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
  
  型号：STT3PF20V
  仓库库存编号：STT3PF20V-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3448-TL-H
  仓库库存编号：CPH3448-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3474-TL-E
  仓库库存编号：MCH3474-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3474-TL-H
  仓库库存编号：MCH3474-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.6A 510mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB28UN,115
  仓库库存编号：568-10755-1-ND
  别名：568-10755-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V,
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