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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.55W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMS3015SSS-13
  仓库库存编号：DMS3015SSS-13DICT-ND
  别名：DMS3015SSS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 6A 1.19W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：DMS3017SSD-13
  仓库库存编号：DMS3017SSD-13DICT-ND
  别名：DMS3017SSD-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 49A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD37P3H6AG
  仓库库存编号：497-15964-1-ND
  别名：497-15964-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
• 无铅
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N300P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N300P3HV
  仓库库存编号：IXTT1N300P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
• 不受无铅要求限制
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10.4A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：2SK4117LS
  仓库库存编号：2SK4117LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0659DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0659DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30.6nC @ 10V,
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