产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.34A(Ta) 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1050X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1050X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1050X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2015
仓库库存编号:
917-1019-1-ND
别名:917-1019-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2015
仓库库存编号:
917-1019-6-ND
别名:917-1019-6
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 1.34A(Ta) 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1050X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1050X-T1-E3CT-ND
别名:SI1050X-T1-E3CT
SI1050XT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 8-SOP
型号:
RRS070N03TB1
仓库库存编号:
RRS070N03TB1CT-ND
别名:RRS070N03TB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 33A(Ta) 模具
型号:
EPC2815
仓库库存编号:
917-1036-1-ND
别名:917-1036-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11.6nC @ 5V,
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