产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名:SP001063626
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) 8-SO
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPNTMA1TR-ND
别名:BSO303SPT
BSO303SPXTINTR
BSO303SPXTINTR-ND
SP000014019
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1018E
仓库库存编号:
AUIRF1018E-ND
别名:SP001519520
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC540PBF
仓库库存编号:
IRC540PBF-ND
别名:*IRC540PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7288N3
仓库库存编号:
FDS7288N3CT-ND
别名:FDS7288N3_NLCT
FDS7288N3_NLCT-ND
FDS7288N3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA88N085T
仓库库存编号:
IXTA88N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA88N085T7
仓库库存编号:
IXTA88N085T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP88N085T
仓库库存编号:
IXTP88N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 20-FLFBGA(3.5x4.0)
型号:
FDZ4670S
仓库库存编号:
FDZ4670SCT-ND
别名:FDZ4670SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 34A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 34A(Ta),49A(Tc) 3.3W(Ta),78W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS2508SDC
仓库库存编号:
FDMS2508SDCCT-ND
别名:FDMS2508SDCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R3-40B,118
仓库库存编号:
568-6580-1-ND
别名:568-6580-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.79W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7726TR
仓库库存编号:
IRF7726CT-ND
别名:*IRF7726TR
IRF7726CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPINCT-ND
别名:BSO303SPINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 254W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R3-40B,127
仓库库存编号:
568-6626-5-ND
别名:568-6626
568-6626-5
568-6626-ND
934057685127
BUK754R3-40B
BUK754R3-40B,127-ND
BUK754R3-40B-ND
BUK754R340B127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-13-ND
别名:SP000012478
SPD30N06S2L13T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD50N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD50N06S2L-13-ND
别名:SP000013568
SPD50N06S2L13T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRF1018ESLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESLPBF-ND
别名:SP001550908
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1018EPBF
仓库库存编号:
IRFU1018EPBF-ND
别名:SP001565188
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI057N08N3 G
仓库库存编号:
IPI057N08N3 G-ND
别名:SP000395182
SP000680662
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1018ES
仓库库存编号:
AUIRF1018ES-ND
别名:SP001517308
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR1018E
仓库库存编号:
AUIRFR1018E-ND
别名:SP001522694
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N08N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N08N3 GCT
IPD053N08N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名:IPD30N06S2L-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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