产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.5A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3021LSD-13
仓库库存编号:
DMC3021LSD-13DICT-ND
别名:DMC3021LSD-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.5A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3021LSDQ-13
仓库库存编号:
DMC3021LSDQ-13DICT-ND
别名:DMC3021LSDQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP297H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP297H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y25-60EX
仓库库存编号:
1727-1803-1-ND
别名:1727-1803-1
568-11417-1
568-11417-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297 E6327
仓库库存编号:
BSP297 E6327-ND
别名:BSP297E6327T
SP000011108
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16.1nC @ 10V,
无铅
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