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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 39W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD02N40T4G
  仓库库存编号：NDD02N40T4GOSCT-ND
  别名：NDD02N40T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT02N40T1G
  仓库库存编号：NDT02N40T1GOSCT-ND
  别名：NDT02N40T1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 39W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD02N40-1G
  仓库库存编号：NDD02N40-1GOS-ND
  别名：NDD02N40-1G-ND
  NDD02N40-1GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS87H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS87H6327FTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN100-7-F
  仓库库存编号：DMN100-FDICT-ND
  别名：DMN100-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  PMV90ENE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 460mW（Ta） TO-236AB
  
  型号：PMV90ENER
  仓库库存编号：1727-2735-1-ND
  别名：1727-2735-1
  568-13299-1
  568-13299-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV100ENEAR
  仓库库存编号：1727-2524-1-ND
  别名：1727-2524-1
  568-12963-1
  568-12963-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK72150-55A,118
  仓库库存编号：1727-7151-1-ND
  别名：1727-7151-1
  568-9634-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33.8W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ42DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ42DN25NS3 GCT-ND
  别名：BSZ42DN25NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS87H6327XTSA1-ND
  别名：SP001195034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 3A（Tc） 46W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD3NM50T4
  仓库库存编号：STD3NM50T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 270mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92L
  
  型号：FQNL1N50BBU
  仓库库存编号：FQNL1N50BBU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 270mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92L
  
  型号：FQNL1N50BTA
  仓库库存编号：FQNL1N50BTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.4A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N40TF
  仓库库存编号：FQD2N40TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.4A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N40TM
  仓库库存编号：FQD2N40TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU1N50TU
  仓库库存编号：FQU1N50TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.4A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP1N50
  仓库库存编号：FQP1N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N40
  仓库库存编号：FQP2N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1N50TF
  仓库库存编号：FQD1N50TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1N50TM
  仓库库存编号：FQD1N50TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.1A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.1A（Tc） 16W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N40
  仓库库存编号：FQPF2N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 900mA（Tc） 16W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF1N50
  仓库库存编号：FQPF1N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327
  仓库库存编号：BSS87INCT-ND
  别名：BSS87INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327T
  仓库库存编号：BSS87XTINCT-ND
  别名：BSS87XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 11A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK75150-55A,127
  仓库库存编号：BUK75150-55A,127-ND
  别名：934056261127
  BUK75150-55A
  BUK75150-55A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V,
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