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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  
  型号：QS6K1TR
  仓库库存编号：QS6K1CT-ND
  别名：QS6K1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RZF013P01TL
  仓库库存编号：RZF013P01TLCT-ND
  别名：RZF013P01TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 20V 1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 1.6W（Ta） TLM621H
  
  型号：CTLDM7120-M621H TR
  仓库库存编号：CTLDM7120-M621H CT-ND
  别名：CTLDM7120-M621H CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2N-CH 20V 1A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1A (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS
  
  型号：CTLDM7120-M832DS TR
  仓库库存编号：CTLDM7120-M832DS CT-ND
  别名：CTLDM7120-M832DS CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：ES6U1T2R
  仓库库存编号：ES6U1T2RCT-ND
  别名：ES6U1T2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1A013ZPT2R
  仓库库存编号：RW1A013ZPT2RCT-ND
  别名：RW1A013ZPT2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 150mW（Ta） SOT-563
  
  型号：CMLDM7120G TR
  仓库库存编号：CMLDM7120G CT-ND
  别名：CMLDM7120G CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6
  
  型号：US6J11TR
  仓库库存编号：US6J11CT-ND
  别名：US6J11CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6316P
  仓库库存编号：FDG6316PCT-ND
  别名：FDG6316PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23201W10
  仓库库存编号：296-24258-1-ND
  别名：296-24258-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V,
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