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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2329DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2329DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2329DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3136PT1G
  仓库库存编号：NTGS3136PT1GOSCT-ND
  别名：NTGS3136PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA910PZ
  仓库库存编号：FDMA910PZCT-ND
  别名：FDMA910PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.45W Surface Mount X1-WLB1818-4
  
  型号：DMN2023UCB4-7
  仓库库存编号：DMN2023UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN2023UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87022T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87022T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87022T-U/MFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD150N3LLH6
  仓库库存编号：497-8889-1-ND
  别名：497-8889-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16401Q5
  仓库库存编号：296-24525-1-ND
  别名：296-24525-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16415Q5
  仓库库存编号：296-30139-1-ND
  别名：296-30139-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7314TRPBF
  仓库库存编号：IRF7314PBFCT-ND
  别名：*IRF7314TRPBF
  IRF7314PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD079N06L3 G
  仓库库存编号：IPD079N06L3 GCT-ND
  别名：IPD079N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6626
  仓库库存编号：IRF6626CT-ND
  别名：IRF6626CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB081N06L3 G
  仓库库存编号：IPB081N06L3 GCT-ND
  别名：IPB081N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS3A40PZTAG
  仓库库存编号：NTLUS3A40PZTAGOSCT-ND
  别名：NTLUS3A40PZTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6614TRPBF
  仓库库存编号：IRF6614TRPBFCT-ND
  别名：IRF6614TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.6W Surface Mount 4-EFCP (1.61x1.61)
  
  型号：EFC4621R-TR
  仓库库存编号：EFC4621R-TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.6W Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)
  
  型号：EFC6604R-TR
  仓库库存编号：EFC6604R-TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 14A ECH8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8420-TL-H
  仓库库存编号：ECH8420-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0652DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0652DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0652DPB-00#J5-ND
  RJK0652DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1052DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1052DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1052DPB-00#J5-ND
  RJK1052DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16401Q5T
  仓库库存编号：CSD16401Q5T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16415Q5T
  仓库库存编号：CSD16415Q5T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP084N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP084N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP084N06L3 G
  IPP084N06L3 G-ND
  SP000680838
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI084N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI084N06L3GXKSA1-ND
  别名：SP001065242
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL8114PBF
  仓库库存编号：IRL8114PBF-ND
  别名：64-0104PBF
  64-0104PBF-ND
  SP001550392
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB85N03T4
  仓库库存编号：NTB85N03T4OSCT-ND
  别名：NTB85N03T4OSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
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