产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
DMN10H170SK3-13
仓库库存编号:
DMN10H170SK3-13DICT-ND
别名:DMN10H170SK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
型号:
DMHC10H170SFJ-13
仓库库存编号:
DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
别名:DMHC10H170SFJ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN10H170SVT-7
仓库库存编号:
DMN10H170SVT-7DICT-ND
别名:DMN10H170SVT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN10H170SVTQ-7
仓库库存编号:
DMN10H170SVTQ-7DICT-ND
别名:DMN10H170SVTQ-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN10H170SFDE-7
仓库库存编号:
DMN10H170SFDE-7DICT-ND
别名:DMN10H170SFDE-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Ta) 1.8W(Ta),14W(Tc) SOT-223
型号:
DMP6250SE-13
仓库库存编号:
DMP6250SE-13DICT-ND
别名:DMP6250SE-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N900CP ROGTR-ND
别名:TSM60N900CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N900CP ROGCT-ND
别名:TSM60N900CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N900CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N900CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N900CP ROGTR-ND
别名:TSM70N900CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N900CP ROGCT-ND
别名:TSM70N900CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N900CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N900CP ROGDKR-ND
别名:TSM70N900CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60N900CH C5G
仓库库存编号:
TSM60N900CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM70N900CH C5G
仓库库存编号:
TSM70N900CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) ITO-220
型号:
TSM60N900CI C0G
仓库库存编号:
TSM60N900CI C0G-ND
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) ITO-220
型号:
TSM70N900CI C0G
仓库库存编号:
TSM70N900CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V,
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