产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 9A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
DMP10H400SK3-13
仓库库存编号:
DMP10H400SK3-13DICT-ND
别名:DMP10H400SK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMC3A16DN8TA
仓库库存编号:
ZXMC3A16DN8CT-ND
别名:ZXMC3A16DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),41A(Tc) 1.37W(Ta),29.4W(Tc) DPAK
型号:
NTD4909NT4G
仓库库存编号:
NTD4909NT4GOSCT-ND
别名:NTD4909NT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.9A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Tc) 4.1W(Tc) 8-SO
型号:
SI4776DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4776DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4776DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 64A(Tc) 48W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN6R5-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5908-1-ND
别名:1727-5908-1
568-7588-1
568-7588-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN3A06DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A06DN8CT-ND
别名:ZXMN3A06DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta),6A(Tc) 2W(Ta), 13.7W(Tc) SOT-223
型号:
DMP10H400SE-13
仓库库存编号:
DMP10H400SE-13DICT-ND
别名:DMP10H400SE-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta),6A(Tc) 2W(Ta), 13.7W(Tc) SOT-223
型号:
DMP10H400SEQ-13
仓库库存编号:
DMP10H400SEQ-13DICT-ND
别名:DMP10H400SEQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Ta),41A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4909NA-35G
仓库库存编号:
NTD4909NA-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5519DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5519DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5519DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta),41A(Tc) DPAK
型号:
NTD4909NAT4G
仓库库存编号:
NTD4909NAT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.8A(Ta),41A(Tc) 1.37W(Ta),29.4W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4909N-35G
仓库库存编号:
NTD4909N-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.8A(Ta),41A(Tc) 1.37W(Ta),29.4W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4909N-1G
仓库库存编号:
NTD4909N-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DP
型号:
TK40P03M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RSS-Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 7.1A(Ta),24A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7448
仓库库存编号:
785-1235-1-ND
别名:785-1235-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DPAK
型号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
别名:TK40P03M1T6RDSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V,
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