产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(22)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(21)
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (11)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (1)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (3)
Texas Instruments (1)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
FDD7N20TM
仓库库存编号:
FDD7N20TMCT-ND
别名:FDD7N20TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP296NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP296NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K1CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K1CEBKMA1-ND
别名:SP001276064
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 22A(Ta) 2.5W(Ta) 6-SON(2x2)
型号:
CSD15571Q2
仓库库存编号:
296-39992-1-ND
别名:296-39992-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 31W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M67-60EX
仓库库存编号:
1727-2564-1-ND
别名:1727-2564-1
568-13008-1
568-13008-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3120L-7
仓库库存编号:
1034-DMP3120L-7DI-ND
别名:1034-DMP3120L-7DI
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4.5A SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 3.5W(Tc) SOT-89/PCP-1
型号:
PCP1403-TD-H
仓库库存编号:
PCP1403-TD-HOSCT-ND
别名:PCP1403-TD-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RND030N20TL
仓库库存编号:
RND030N20TLCT-ND
别名:RND030N20TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount HUML2020L8
型号:
UT6JA2TCR
仓库库存编号:
UT6JA2TCRCT-ND
别名:UT6JA2TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
别名:IPN60R2K1CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta),3.6A(Tc) 1.1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304DDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2304DDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2304DDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K0C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K0C6AKMA1-ND
别名:SP001399934
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V CPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) CPT3
型号:
RDD022N50TL
仓库库存编号:
RDD022N50TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 22W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名:SP001098610
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名:SP001117714
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 21.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R2K1C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R2K1C6SATMA1-ND
别名:SP001163026
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3120L-7
仓库库存编号:
DMP3120L-7DI-ND
别名:DMP3120L-7DI
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Ta) 30W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5002DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5002DPD-00#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K0C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K0C6CT
IPD60R2K0C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K0C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K0C6BKMA1-ND
别名:SP000931528
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号