产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 8V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA433EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA433EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 8V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405EN-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 8V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405ENW-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 8V,
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