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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R712MD,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R712MDL1QCT-ND
  别名：TPN4R712MDL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK964R8-60E,118
  仓库库存编号：1727-7261-1-ND
  别名：1727-7261-1
  568-9890-1
  568-9890-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06LT4
  仓库库存编号：NTB60N06LT4OS-ND
  别名：NTB60N06LT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP60N06L
  仓库库存编号：NTP60N06LOS-ND
  别名：NTP60N06LOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP60N06LG
  仓库库存编号：NTP60N06LGOS-ND
  别名：NTP60N06LGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06L
  仓库库存编号：NTB60N06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06LT4G
  仓库库存编号：NTB60N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTB60N06LT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4411DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4411DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4411DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4411DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK954R8-60E,127
  仓库库存编号：1727-1132-ND
  别名：1727-1132
  568-10287
  568-10287-5
  568-10287-5-ND
  568-10287-ND
  934066477127
  BUK954R8-60E,127-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E4R9-60E,127
  仓库库存编号：568-9876-5-ND
  别名：568-9876-5
  934066657127
  BUK9E4R960E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 5V,
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