产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715L
仓库库存编号:
IRL3715L-ND
别名:*IRL3715L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715S
仓库库存编号:
IRL3715S-ND
别名:*IRL3715S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.9A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7755
仓库库存编号:
IRF7755-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.9A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7755TR
仓库库存编号:
IRF7755TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715STRL
仓库库存编号:
IRL3715STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715STRR
仓库库存编号:
IRL3715STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715TR
仓库库存编号:
IRL3715TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715TRL
仓库库存编号:
IRL3715TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715TRR
仓库库存编号:
IRL3715TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TR
仓库库存编号:
IRLR3715TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRL
仓库库存编号:
IRLR3715TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRR
仓库库存编号:
IRLR3715TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
64-9144
仓库库存编号:
64-9144CT-ND
别名:*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6610TR1
仓库库存编号:
IRF6610TR1CT-ND
别名:IRF6610TR1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6637TR1
仓库库存编号:
IRF6637TR1CT-ND
别名:IRF6637TR1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715PBF
仓库库存编号:
IRL3715PBF-ND
别名:*IRL3715PBF
SP001558704
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715LPBF
仓库库存编号:
IRL3715LPBF-ND
别名:*IRL3715LPBF
SP001578548
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715SPBF
仓库库存编号:
IRL3715SPBF-ND
别名:*IRL3715SPBF
SP001567086
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715PBF
仓库库存编号:
IRLR3715PBF-ND
别名:*IRLR3715PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3715PBF
仓库库存编号:
IRLU3715PBF-ND
别名:*IRLU3715PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR3715TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6610TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6610TR1PBFCT-ND
别名:IRF6610TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6617TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6617TR1PBFCT-ND
别名:IRF6617TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 16A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6633TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6633TR1PBFCT-ND
别名:IRF6633TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6637TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6637TR1PBFCT-ND
别名:IRF6637TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V,
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