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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17551Q3A
  仓库库存编号：296-35025-1-ND
  别名：296-35025-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.9A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM2302CX RFG
  仓库库存编号：TSM2302CX RFGTR-ND
  别名：TSM2302CX RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.9A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM2302CX RFG
  仓库库存编号：TSM2302CX RFGCT-ND
  别名：TSM2302CX RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.9A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM2302CX RFG
  仓库库存编号：TSM2302CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2302CX RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.7W Surface Mount 4-Picostar (1.31x1.31)
  
  型号：CSD85302LT
  仓库库存编号：296-43314-1-ND
  别名：296-43314-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET P-CH 12V 6A DFN202
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） DFN2020-6J
  
  型号：MCM1206-TP
  仓库库存编号：MCM1206-TPMSCT-ND
  别名：MCM1206-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7324D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7324D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7324D1TRPBF
  IRF7324D1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 1.6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA
  
  型号：CSD13302W
  仓库库存编号：CSD13302W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN70XPEAX
  仓库库存编号：PMN70XPEAX-ND
  别名：934068547115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD13302WT
  仓库库存编号：CSD13302WT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 38A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 780mW（Ta），21.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C13NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4C13NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 38A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 780mW（Ta），21.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C13NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C13NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN70XPE,115
  仓库库存编号：1727-1362-1-ND
  别名：1727-1362-1
  568-10805-1
  568-10805-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
  
  型号：STT4PF20V
  仓库库存编号：497-3236-1-ND
  别名：497-3236-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NTLJD3181PZTAG
  仓库库存编号：NTLJD3181PZTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NTLJD3181PZTBG
  仓库库存编号：NTLJD3181PZTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJD3182FZTAG
  仓库库存编号：NTLJD3182FZTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJD3182FZTBG
  仓库库存编号：NTLJD3182FZTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7324D1
  仓库库存编号：IRF7324D1-ND
  别名：*IRF7324D1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7324D1TR
  仓库库存编号：IRF7324D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 4.5V,
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