产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6023LSS-13
仓库库存编号:
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名:DMP6023LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta), 18.2A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
DMP6023LE-13
仓库库存编号:
DMP6023LE-13DICT-ND
别名:DMP6023LE-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP6023LFG-7
仓库库存编号:
DMP6023LFG-7DICT-ND
别名:DMP6023LFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP6023LFGQ-13
仓库库存编号:
DMP6023LFGQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP6023LFGQ-7
仓库库存编号:
DMP6023LFGQ-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.2W TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH6023SK3-13
仓库库存编号:
DMPH6023SK3-13-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.2W TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH6023SK3Q-13
仓库库存编号:
DMPH6023SK3Q-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V,
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