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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3410PBFCT-ND
  别名：*IRLR3410TRPBF
  IRLR3410PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU3410PBF
  仓库库存编号：IRLU3410PBF-ND
  别名：*IRLU3410PBF
  64-4160PBF
  64-4160PBF-ND
  SP001574164
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI530NPBF
  仓库库存编号：IRLI530NPBF-ND
  别名：*IRLI530NPBF
  SP001573830
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL530NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL530NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL530NPBF
  仓库库存编号：IRL530NPBF-ND
  别名：*IRL530NPBF
  64-0095PBF
  64-0095PBF-ND
  SP001578734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3410TRL
  仓库库存编号：AUIRLR3410TRLCT-ND
  别名：AUIRLR3410TRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 136W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9618-55A,118
  仓库库存编号：568-9679-1-ND
  别名：568-9679-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9518-55A,127
  仓库库存编号：568-9736-5-ND
  别名：568-9736-5
  934056811127
  BUK9518-55A
  BUK9518-55A,127-ND
  BUK9518-55A-ND
  BUK951855A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410DY,518
  仓库库存编号：SI4410DY,518-ND
  别名：934056382518
  SI4410DY /T3
  SI4410DY /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6675A
  仓库库存编号：FDS6675A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-2310
  仓库库存编号：94-2310-ND
  别名：*IRL530NS
  IRL530NS
  IRL530NS-ND
  SP001519078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI530N
  仓库库存编号：IRLI530N-ND
  别名：*IRLI530N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL530NL
  仓库库存编号：IRL530NL-ND
  别名：*IRL530NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530NSTRL
  仓库库存编号：IRL530NSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530NSTRR
  仓库库存编号：IRL530NSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRL
  仓库库存编号：IRLR3410TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRR
  仓库库存编号：IRLR3410TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410CPBF
  仓库库存编号：IRLR3410CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 5V,
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