产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta),46W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C673NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C673NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta),46W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C673NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C673NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C673NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),46W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C673NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C673NLTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta),46W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C673NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C673NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),46W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C673NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C673NLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta),46W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C673NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C673NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta),46W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C673NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C673NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.5A(Ta) 680mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4840NR2G
仓库库存编号:
NTMS4840NR2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 700mW(Ta),15W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8067-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8067-HLQ(S-ND
别名:TPCC8067-HLQ(S
TPCC8067HLQS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名:SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU02N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU02N60S5BKMA1-ND
别名:SPU02N60S5
SPU02N60S5-ND
SPU02N60S5IN
SPU02N60S5IN-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5INCT-ND
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