产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30PBF
仓库库存编号:
IRFBE30PBF-ND
别名:*IRFBE30PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30SPBF
仓库库存编号:
IRFBE30SPBF-ND
别名:*IRFBE30SPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP15N60E-E3-ND
别名:SIHP15N60EE3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N60E-GE3-ND
别名:SIHB15N60EGE3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBF30GPBF-ND
别名:*IRFIBF30GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP15N60E-GE3-ND
别名:SIHP15N60E-GE3TR
SIHP15N60E-GE3TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF15N60E-GE3-ND
别名:SIHF15N60E-GE3TR
SIHF15N60E-GE3TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF15N60E-E3-ND
别名:SIHF15N60EE3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 180W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG15N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG15N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30PBF
仓库库存编号:
IRFPE30PBF-ND
别名:*IRFPE30PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE30GPBF-ND
别名:*IRFIBE30GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30LPBF
仓库库存编号:
IRFBE30LPBF-ND
别名:*IRFBE30LPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE822DF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30PBF
仓库库存编号:
IRFBF30PBF-ND
别名:*IRFBF30PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE822DF-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBE30STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFBF30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF30STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30PBF
仓库库存编号:
IRFPF30PBF-ND
别名:*IRFPF30PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30
仓库库存编号:
IRFBF30-ND
别名:*IRFBF30
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30
仓库库存编号:
IRFPE30-ND
别名:*IRFPE30
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30
仓库库存编号:
IRFPF30-ND
别名:*IRFPF30
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30
仓库库存编号:
IRFBE30-ND
别名:*IRFBE30
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30G
仓库库存编号:
IRFIBE30G-ND
别名:*IRFIBE30G
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30G
仓库库存编号:
IRFIBF30G-ND
别名:*IRFIBF30G
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30L
仓库库存编号:
IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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