产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(35)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(35)
筛选品牌
Vishay Siliconix (35)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30S
仓库库存编号:
IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRL
仓库库存编号:
IRFBE30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRR
仓库库存编号:
IRFBE30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF30L
仓库库存编号:
IRFBF30L-ND
别名:*IRFBF30L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30S
仓库库存编号:
IRFBF30S-ND
别名:*IRFBF30S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRL
仓库库存编号:
IRFBF30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRR
仓库库存编号:
IRFBF30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30SPBF
仓库库存编号:
IRFBF30SPBF-ND
别名:*IRFBF30SPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 5W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7136DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7136DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7136DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 5W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7136DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7136DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号