产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP190N65F
仓库库存编号:
FCP190N65F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 215W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5295-1-ND
别名:1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7328TRPBF
仓库库存编号:
IRF7328PBFCT-ND
别名:*IRF7328TRPBF
IRF7328PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30PBF
仓库库存编号:
IRFBF30PBF-ND
别名:*IRFBF30PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 158W(Tc) D2PAK
型号:
BUK663R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5522-1-ND
别名:1727-5522-1
568-7001-1
568-7001-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Ta),155A(Tc) 4W(Ta),115W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C632NLT4G
仓库库存编号:
NVD5C632NLT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE822DF-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF190N65FL1
仓库库存编号:
FCPF190N65FL1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBE30STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFBF30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF30STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120N075T2
仓库库存编号:
IXTA120N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120N075T2
仓库库存编号:
IXTP120N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30PBF
仓库库存编号:
IRFPF30PBF-ND
别名:*IRFPF30PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA50N25T
仓库库存编号:
IXTA50N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N25T
仓库库存编号:
IXTQ50N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N25T
仓库库存编号:
IXTH50N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30
仓库库存编号:
IRFBF30-ND
别名:*IRFBF30
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) TO-220
型号:
FCP067N65S3
仓库库存编号:
FCP067N65S3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 250V 30A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM50-025TF
仓库库存编号:
FMM50-025TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30
仓库库存编号:
IRFPE30-ND
别名:*IRFPE30
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30
仓库库存编号:
IRFPF30-ND
别名:*IRFPF30
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30
仓库库存编号:
IRFBE30-ND
别名:*IRFBE30
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30G
仓库库存编号:
IRFIBE30G-ND
别名:*IRFIBE30G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30G
仓库库存编号:
IRFIBF30G-ND
别名:*IRFIBF30G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30L
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IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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