产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30S
仓库库存编号:
IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRL
仓库库存编号:
IRFBE30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRR
仓库库存编号:
IRFBE30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF30L
仓库库存编号:
IRFBF30L-ND
别名:*IRFBF30L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30S
仓库库存编号:
IRFBF30S-ND
别名:*IRFBF30S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRL
仓库库存编号:
IRFBF30STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRR
仓库库存编号:
IRFBF30STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30SPBF
仓库库存编号:
IRFBF30SPBF-ND
别名:*IRFBF30SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6689S
仓库库存编号:
FDS6689S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6688S
仓库库存编号:
FDS6688S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF34N20
仓库库存编号:
FQPF34N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20
仓库库存编号:
FQA34N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 5W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7136DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7136DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7136DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF540A
仓库库存编号:
IRF540A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS540A
仓库库存编号:
IRFS540A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFW540ATM
仓库库存编号:
IRFW540ATM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 4000V 1A(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1N400
仓库库存编号:
IXTF1N400-ND
别名:Q5597315
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 5W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7136DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7136DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 33A(Tc) 1W(Ta),97W(Tc) 8-HSON
型号:
NP33N06YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
别名:NP33N06YDG-E1-AY-ND
NP33N06YDG-E1-AYTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DY
仓库库存编号:
SI4420DY-ND
别名:*SI4420DY
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DYTR
仓库库存编号:
SI4420DYTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7328TR
仓库库存编号:
IRF7328TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号:
568-7498-5-ND
别名:568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP039N04LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP039N04LGHKSA1-ND
别名:SP000391494
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 78nC @ 10V,
无铅
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