产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7470TRPBF
仓库库存编号:
IRF7470PBFCT-ND
别名:*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711PBFTR-ND
别名:IRFR3711PBFTR
IRFR3711TRPBF-ND
IRFR3711TRPBFTR-ND
SP001557028
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3711TRLPBF-ND
别名:SP001578136
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834TRPBF
仓库库存编号:
IRF7834PBFTR-ND
别名:IRF7834PBFTR
IRF7834TRPBF-ND
IRF7834TRPBFTR-ND
SP001563774
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602S
仓库库存编号:
IRL5602S-ND
别名:*IRL5602S
Q803261
SP001573924
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 54A(Tc) 2W(Ta),70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D2
仓库库存编号:
IRL3103D2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2S
仓库库存编号:
IRL3103D2S-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2STRL
仓库库存编号:
IRL3103D2STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-262
型号:
IRL5602L
仓库库存编号:
IRL5602L-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IRL5602
仓库库存编号:
IRL5602-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRL
仓库库存编号:
IRL5602STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRR
仓库库存编号:
IRL5602STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3711
仓库库存编号:
IRFU3711-ND
别名:*IRFU3711
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711S
仓库库存编号:
IRF3711S-ND
别名:*IRF3711S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711
仓库库存编号:
IRFR3711-ND
别名:*IRFR3711
SP001555100
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711
仓库库存编号:
IRF3711-ND
别名:*IRF3711
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711L
仓库库存编号:
IRF3711L-ND
别名:*IRF3711L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRL
仓库库存编号:
IRF3711STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRR
仓库库存编号:
IRF3711STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7470TR
仓库库存编号:
IRF7470TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TR
仓库库存编号:
IRFR3711TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRL
仓库库存编号:
IRFR3711TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRR
仓库库存编号:
IRFR3711TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834
仓库库存编号:
IRF7834-ND
别名:*IRF7834
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834TR
仓库库存编号:
IRF7834TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V,
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