产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P4L04ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP240N10F7
仓库库存编号:
497-13588-5-ND
别名:497-13588-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S401ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N10S305AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N10S305AKSA1-ND
别名:IPP100N10S3-05
IPP100N10S3-05-ND
IPP100N10S305
SP000407126
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名:SP000840196
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840200
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840198
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N10S3-05
仓库库存编号:
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N10S305AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N10S305AKSA1-ND
别名:IPI100N10S3-05
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SP000407128
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V,
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