产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A060FH
仓库库存编号:
GP1M016A060FH-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A060F
仓库库存编号:
1560-1186-5-ND
别名:1560-1186-1
1560-1186-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 600V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M016A060H
仓库库存编号:
1560-1187-5-ND
别名:1560-1187-1
1560-1187-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M016A060N
仓库库存编号:
1560-1188-5-ND
别名:1560-1188-1
1560-1188-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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