产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(8)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(8)
筛选品牌
Infineon Technologies (6)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80P06P H
仓库库存编号:
SPP80P06P H-ND
别名:SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03MS G
仓库库存编号:
BSC014N03MS GCT-ND
别名:BSC014N03MS GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 32.4A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG33N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG33N65E-GE3CT-ND
别名:SIHG33N65E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80P06P G
仓库库存编号:
SPB80P06PGINCT-ND
别名:SPB80P06PGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 35A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
SSP45N20B_FP001
仓库库存编号:
SSP45N20B_FP001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP80P06PBKSA1
仓库库存编号:
SPP80P06PBKSA1-ND
别名:SP000012840
SPP80P06P
SPP80P06PIN
SPP80P06PIN-ND
SPP80P06PX
SPP80P06PXK
SPP80P06PXTIN
SPP80P06PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80P06P
仓库库存编号:
SPB80P06P-ND
别名:SP000012841
SPB80P06PT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 173nC @ 10V,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号