产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 143W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL40B215
仓库库存编号:
IRL40B215-ND
别名:SP001558684
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4838BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4838BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 4.5V,
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