以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3110ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR3110ZTRPBFCT-ND
  别名：IRLR3110ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU3110ZPBF
  仓库库存编号：IRLU3110ZPBF-ND
  别名：SP001578962
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81)
  
  型号：EFC6601R-TR
  仓库库存编号：EFC6601R-TROSCT-ND
  别名：EFC6601R-TROSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7401TRPBF
  仓库库存编号：IRF7401PBFCT-ND
  别名：*IRF7401TRPBF
  IRF7401PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 54.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRC16DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRC16DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRC16DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 36.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA54DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA54DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA54DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81)
  
  型号：EFC6601R-A-TR
  仓库库存编号：EFC6601R-A-TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），130A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4834NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4834NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4834NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRLU3110Z
  仓库库存编号：AUIRLU3110Z-ND
  别名：SP001520848
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7064N7
  仓库库存编号：FDS7064N7CT-ND
  别名：FDS7064N7_NLCT
  FDS7064N7_NLCT-ND
  FDS7064N7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7064N
  仓库库存编号：FDS7064NCT-ND
  别名：FDS7064N_NLCT
  FDS7064N_NLCT-ND
  FDS7064NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11.2A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR6580
  仓库库存编号：FDR6580-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.6A（Ta） 1.08W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6404DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6404DQ-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.6A（Ta） 1.08W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6404DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6404DQ-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3110Z
  仓库库存编号：AUIRLR3110Z-ND
  别名：SP001521338
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索