产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tj） 296W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN7R6-100BSEJ
仓库库存编号：
1727-1104-1-ND
别名：1727-1104-1
568-10259-1
568-10259-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C404NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SIL3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tj） 294W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN7R8-100PSEQ
仓库库存编号：
1727-2472-ND
别名：1727-2472
568-12857
568-12857-ND
934068768127
PSMN7R8-100PSEQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
型号：
FDMD8560L
仓库库存编号：
FDMD8560LCT-ND
别名：FDMD8560LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8444
仓库库存编号：
FDB8444CT-ND
别名：FDB8444CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUM50020E-GE3
仓库库存编号：
SUM50020E-GE3CT-ND
别名：SUM50020E-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP50020E-GE3
仓库库存编号：
SUP50020E-GE3CT-ND
别名：SUP50020E-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4931NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4931NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4931NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4931NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH36N55Q
仓库库存编号：
IXFH36N55Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S404ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S404ATMA2-ND
别名：SP001028762
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA2
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA2-ND
别名：SP001028766
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S404ATMA2
仓库库存编号：
IPB90N06S404ATMA2-ND
别名：SP001028754
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90N06S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI90N06S404AKSA1-ND
别名：IPI90N06S4-04
IPI90N06S4-04-ND
SP000379633
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 18.4A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP460
仓库库存编号：
497-2734-5-ND
别名：497-2734-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-220-3
型号：
NP80N06MLG-S18-AY
仓库库存编号：
NP80N06MLG-S18-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
型号：
NP80N06PLG-E1B-AY
仓库库存编号：
NP80N06PLG-E1B-AYCT-ND
别名：NP80N06PLG-E1B-AYCT
NP80N06PLGE1BAY
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPB90N06S4-04
IPB90N06S4-04-ND
SP000379632
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 128nC @ 10V,
无铅
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