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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R7-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7106-1-ND
  别名：1727-7106-1
  568-9476-1
  568-9476-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R0-60PS,127
  仓库库存编号：1727-5284-ND
  别名：1727-5284
  568-6712
  568-6712-5
  568-6712-5-ND
  568-6712-ND
  934065168127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 625W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA50N50
  仓库库存编号：FDA50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N04S4H1ATMA1CT-ND
  别名：IPB160N04S4H1ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 625W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FDH45N50F_F133
  仓库库存编号：FDH45N50F_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH50N50_F133
  仓库库存编号：FDH50N50_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN2R0-60ES,127
  仓库库存编号：1727-5281-ND
  别名：1727-5281
  568-6709
  568-6709-5
  568-6709-5-ND
  568-6709-ND
  934065162127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P08-25L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P08-25L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P08-25L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH50N50
  仓库库存编号：FDH50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 137nC @ 10V,
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