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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3713STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3713STRLPBFCT-ND
  别名：IRL3713STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF03L-04
  仓库库存编号：497-2676-5-ND
  别名：497-2676-5
  STP80NF03L04
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB80NF03L-04-1
  仓库库存编号：497-12540-5-ND
  别名：497-12540-5
  STB80NF03L-04-1-ND
  STB80NF03L041
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 260A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3713PBF
  仓库库存编号：IRL3713PBF-ND
  别名：*IRL3713PBF
  64-0082PBF
  64-0082PBF-ND
  SP001567066
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF03L-04T4
  仓库库存编号：497-7952-1-ND
  别名：497-7952-1
  STB80NF03L04T4
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF03L
  仓库库存编号：497-4386-5-ND
  别名：497-4386-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB160NF3LLT4
  仓库库存编号：STB160NF3LLT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203STRL
  仓库库存编号：IRL2203STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203STRR
  仓库库存编号：IRL2203STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL3502L
  仓库库存编号：IRL3502L-ND
  别名：*IRL3502L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4493DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4493DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4493DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4493DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2203N
  仓库库存编号：IRLI2203N-ND
  别名：*IRLI2203N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502S
  仓库库存编号：IRL3502S-ND
  别名：*IRL3502S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3502
  仓库库存编号：IRL3502-ND
  别名：*IRL3502
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502STRR
  仓库库存编号：IRL3502STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3502PBF
  仓库库存编号：IRL3502PBF-ND
  别名：*IRL3502PBF
  SP001568246
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502SPBF
  仓库库存编号：IRL3502SPBF-ND
  别名：*IRL3502SPBF
  SP001578558
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2203NPBF
  仓库库存编号：IRLI2203NPBF-ND
  别名：*IRLI2203NPBF
  SP001558790
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3502STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3502STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V,
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