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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2614
  仓库库存编号：FDB2614CT-ND
  别名：FDB2614CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 260W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2614
  仓库库存编号：FDP2614FS-ND
  别名：FDP2614-ND
  FDP2614FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 45V 150A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1R005PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH1R005PLL1QCT-ND
  别名：TPH1R005PLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 68V 96A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP80N70F6
  仓库库存编号：497-13554-5-ND
  别名：497-13554-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP030N06B_F102
  仓库库存编号：FDP030N06B_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8403TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8403TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8403TRL
  SP001518596
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU8403
  仓库库存编号：IRAUIRFU8403-ND
  别名：IRAUIRFU8403
  SP001518276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N60K
  仓库库存编号：IRFB17N60K-ND
  别名：*IRFB17N60K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N60KPBF
  仓库库存编号：IRFB17N60KPBF-ND
  别名：*IRFB17N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 43A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK4018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK4018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CNE8N G
  仓库库存编号：IPP08CNE8N G-ND
  别名：IPP08CNE8NGX
  IPP08CNE8NGXK
  SP000096466
  SP000680846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB08CNE8N G
  仓库库存编号：IPB08CNE8N G-ND
  别名：SP000096449
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI08CNE8N G
  仓库库存编号：IPI08CNE8N G-ND
  别名：SP000208927
  SP000680708
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8403
  仓库库存编号：IRAUIRFR8403-ND
  别名：IRAUIRFR8403
  SP001517580
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 99nC @ 10V,
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