产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP180N10T
仓库库存编号:
IXTP180N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA180N10T
仓库库存编号:
IXTA180N10T-ND
别名:615943
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPLU300N04S41R1XTMA1
仓库库存编号:
IPLU300N04S41R1XTMA1CT-ND
别名:IPLU300N04S41R1XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ180N10T
仓库库存编号:
IXTQ180N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH180N10T
仓库库存编号:
IXTH180N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP030N06
仓库库存编号:
FDP030N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB029N06
仓库库存编号:
FDB029N06CT-ND
别名:FDB029N06CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R2-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1059-ND
别名:1727-1059
568-10167-5
568-10167-5-ND
934067502127
PSMN4R260PLQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI030N06
仓库库存编号:
FDI030N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA180N10T7
仓库库存编号:
IXTA180N10T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXTL2X180N10T
仓库库存编号:
IXTL2X180N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 368W(Tc) TO-247-3
型号:
FCH47N60N
仓库库存编号:
FCH47N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P405ATMA1-ND
别名:SP000652618
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P405AKSA1-ND
别名:SP000652620
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 22A(Tc) 135W(Tc) D2PAK
型号:
STB22NS25ZT4
仓库库存编号:
STB22NS25ZT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 22A(Tc) 135W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NS25Z
仓库库存编号:
497-6740-5-ND
别名:497-6740-5
STP22NS25Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 151nC @ 10V,
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