产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3416
仓库库存编号:
785-1011-1-ND
别名:785-1011-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC642P
仓库库存编号:
FDC642PCT-ND
别名:FDC642PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N03-09P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
型号:
DMN2014LHAB-7
仓库库存编号:
DMN2014LHAB-7DICT-ND
别名:DMN2014LHAB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8729TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8729TRPBFCT-ND
别名:IRLR8729TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),58.5A(Tc) 870mW(Ta),38.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4821NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4821NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4821NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7900AEDN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7900AEDN-T1-E3CT-ND
别名:SI7900AEDN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3-ND
SI1489EDH-T1-GE3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
型号:
DMN2016LFG-7
仓库库存编号:
DMN2016LFG-7DICT-ND
别名:DMN2016LFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RQ5A030APTL
仓库库存编号:
RQ5A030APTLCT-ND
别名:RQ5A030APTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
型号:
TT8J13TCR
仓库库存编号:
TT8J13TCRCT-ND
别名:TT8J13TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 400mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1A025APT2CR
仓库库存编号:
RW1A025APT2CRCT-ND
别名:RW1A025APT2CRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RAL025P01TCR
仓库库存编号:
RAL025P01TCRCT-ND
别名:RAL025P01TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.2W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC642P_F085
仓库库存编号:
FDC642P_F085CT-ND
别名:FDC642P_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC637AN
仓库库存编号:
FDC637ANCT-ND
别名:FDC637ANCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 37.8A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA468DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA468DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA468DJ-T1-GE3CT
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.1W(Ta) 8-MSOP
型号:
ZXM64N02XTA
仓库库存编号:
ZXM64N02XCT-ND
别名:ZXM64N02X
ZXM64N02XCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12V 11A 1.3W Surface Mount SOT-383FL, EMH8
型号:
EMH2417R-TL-H
仓库库存编号:
EMH2417R-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? TSC75-6
型号:
SIB437EDKT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB437EDKT-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
型号:
DMN2016LHAB-7
仓库库存编号:
DMN2016LHAB-7DICT-ND
别名:DMN2016LHAB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 40V 7.5A (Ta) 17.2W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC4040SSDQ-13
仓库库存编号:
DMC4040SSDQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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