产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7900AEDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7900AEDN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 22V 49A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N024-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N024-09P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 8A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2400
仓库库存编号:
785-1422-1-ND
别名:785-1422-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO207PHXUMA1
仓库库存编号:
BSO207PHXUMA1CT-ND
别名:BSO207P HCT
BSO207P HCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.3A(Ta) 770mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4N01R2G
仓库库存编号:
NTMS4N01R2GOS-ND
别名:NTMS4N01R2GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC633N
仓库库存编号:
FDC633NCT-ND
别名:FDC633NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 1.2W(Ta) 8-TSSOP
型号:
FDW6923
仓库库存编号:
FDW6923-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-TSSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
FDW2504P
仓库库存编号:
FDW2504P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 870mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4873NFR2G
仓库库存编号:
NTMS4873NFR2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5W(Ta),39.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-09P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta),58.5A(Tc) 870mW(Ta),38.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4827NET1G
仓库库存编号:
NTMFS4827NET1GOSCT-ND
别名:NTMFS4827NET1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 58A(Tc) 55W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8729-701PBF
仓库库存编号:
IRLU8729-701PBF-ND
别名:IRLU8729PBF
IRLU8729PBF-ND
SP001552984
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V,
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