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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86160ET100
  仓库库存编号：FDMC86160ET100CT-ND
  别名：FDMC86160ET100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5200FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5200FNHL1QCT-ND
  别名：TPH5200FNHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL15N65M5
  仓库库存编号：497-13966-1-ND
  别名：497-13966-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta），10A（Tc） 2.8W（Ta），70W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL17N65M5
  仓库库存编号：497-15145-1-ND
  别名：497-15145-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD15N65M5
  仓库库存编号：497-13641-1-ND
  别名：497-13641-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C404NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C404NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C404NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 89.3W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R360P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R360P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R360P6SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730APBF
  仓库库存编号：IRF730APBF-ND
  别名：*IRF730APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP4N90C
  仓库库存编号：FQP4N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N90C
  仓库库存编号：FQPF4N90C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASPBF
  仓库库存编号：IRF730ASPBF-ND
  别名：*IRF730ASPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 98W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP9N30
  仓库库存编号：FQP9N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R330P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R330P6XKSA1-ND
  别名：SP001017060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 53W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6011KNX
  仓库库存编号：R6011KNX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK8A60W5S5VX-ND
  别名：TK8A60W5,S5VX(M
  TK8A60W5S5VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF4N62K3
  仓库库存编号：497-12580-5-ND
  别名：497-12580-5
  STF4N62K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R385CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R385CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R385CP
  IPA60R385CP-ND
  SP000089316
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R330P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R330P6FKSA1-ND
  别名：SP001017084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N95K5
  仓库库存编号：497-14552-5-ND
  别名：497-14552-5
  STF10N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N65M5
  仓库库存编号：497-10569-5-ND
  别名：497-10569-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI9407BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9407BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI9407BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8107,LF
  仓库库存编号：TPCF8107LFCT-ND
  别名：TPCF8107,LFCMCT
  TPCF8107,LFCMCT-ND
  TPCF8107LFCMCT
  TPCF8107LFCMCT-ND
  TPCF8107LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N90CT
  仓库库存编号：FQPF4N90CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 124W（Tc） TO-263
  
  型号：R6011KNJTL
  仓库库存编号：R6011KNJTLCT-ND
  别名：R6011KNJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9620STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9620STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9620STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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