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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12N65M5
  仓库库存编号：497-10568-1-ND
  别名：497-10568-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 24.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24.8A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y53-100B,115
  仓库库存编号：1727-7219-1-ND
  别名：1727-7219-1
  568-9713-1
  568-9713-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3
  仓库库存编号：SPD04N50C3INCT-ND
  别名：SPD04N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R330P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R330P6XKSA1-ND
  别名：SP001017074
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4214DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4214DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4214DDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18534Q5A
  仓库库存编号：296-35583-1-ND
  别名：296-35583-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5A
  仓库库存编号：296-43636-1-ND
  别名：296-43636-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 9A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86160
  仓库库存编号：FDMC86160CT-ND
  别名：FDMC86160CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N95K5
  仓库库存编号：497-14971-1-ND
  别名：497-14971-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5AT
  仓库库存编号：296-37838-1-ND
  别名：296-37838-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH2900ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH2900ENHL1QCT-ND
  别名：TPH2900ENHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），20A（Tc） 2.4W（Ta），25W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7696
  仓库库存编号：FDMC7696CT-ND
  别名：FDMC7696_F065CT
  FDMC7696_F065CT-ND
  FDMC7696CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI4N62K3
  仓库库存编号：497-12262-ND
  别名：497-12262
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60W5RVQCT-ND
  别名：TK8P60W5RVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU4N62K3
  仓库库存编号：497-12364-ND
  别名：497-12364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF14N80K5
  仓库库存编号：STF14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15N65M5
  仓库库存编号：497-12969-1-ND
  别名：497-12969-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15N65M5
  仓库库存编号：497-13099-5-ND
  别名：497-13099-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8NM60ND
  仓库库存编号：STF8NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP14N80K5
  仓库库存编号：STP14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI14N80K5
  仓库库存编号：STFI14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14N80K5
  仓库库存编号：STB14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），20A（Tc） 4.1W（Ta），15.5W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7414
  仓库库存编号：AON7414-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），35A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6594
  仓库库存编号：AON6594-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），30A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7502
  仓库库存编号：AON7502-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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