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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 2.8W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMP3028LK3Q-13
  仓库库存编号：DMP3028LK3Q-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4443
  仓库库存编号：AO4443-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 80V 8.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），53.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2816
  仓库库存编号：AOD2816-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NVF3055-100T1G
  仓库库存编号：NVF3055-100T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6934A
  仓库库存编号：AON6934A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 18A, 27A 3.5W, 4.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6980
  仓库库存编号：785-1674-1-ND
  别名：785-1674-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4214DDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4214DDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.1W（Ta），60W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1454
  仓库库存编号：AOL1454-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68.2W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9411_F085
  仓库库存编号：FDMS9411_F085CT-ND
  别名：FDMS9411_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6934
  仓库库存编号：785-1373-1-ND
  别名：785-1373-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF4N90
  仓库库存编号：AOTF4N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6932A
  仓库库存编号：AON6932A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6932
  仓库库存编号：785-1372-1-ND
  别名：785-1372-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DUAL PT8 N 40/20V SYNCFET IN MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 11.4W Surface Mount 8-MLP (3x3)
  
  型号：FDMC9430L_F085
  仓库库存编号：FDMC9430L_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 80V 24A SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH12008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH12008NHL1QCT-ND
  别名：TPH12008NHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 3A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta），12A（Tc） 2.1W（Ta），33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF256L
  仓库库存编号：AOTF256L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta），83W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB256L
  仓库库存编号：AOB256L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF730ASTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80
  仓库库存编号：IXTP2N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP10N60C5
  仓库库存编号：IXKP10N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N80
  仓库库存编号：IXTA2N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R600CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R600CEAUMA1-ND
  别名：SP001466998
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R600CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R600CEAKMA1-ND
  别名：SP001605364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R660CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
  别名：IPD65R660CFD
  IPD65R660CFD-ND
  SP000745024
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R660CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R660CFDATMA1-ND
  别名：SP001117748
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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