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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRR
  仓库库存编号：IRF730ASTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF730L
  仓库库存编号：IRF730L-ND
  别名：*IRF730L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.5A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9620L
  仓库库存编号：IRF9620L-ND
  别名：*IRF9620L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9620STRL
  仓库库存编号：IRF9620STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9620STRR
  仓库库存编号：IRF9620STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055-100T1
  仓库库存编号：NTF3055-100T1OSCT-ND
  别名：NTF3055-100T1OSCT
  NTF3055100T1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6P10E
  仓库库存编号：MTD6P10EOS-ND
  别名：MTD6P10EOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF3055-100T3LF
  仓库库存编号：NTF3055-100T3LFOS-ND
  别名：NTF3055-100T3LFOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06T4
  仓库库存编号：NTB18N06T4OS-ND
  别名：NTB18N06T4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP18N06
  仓库库存编号：NTP18N06OS-ND
  别名：NTP18N06OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8016-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8016HTE12LQMDKR-ND
  别名：TPCA8016HTE12LQDKR
  TPCA8016HTE12LQDKR-ND
  TPCA8016HTE12LQM
  TPCA8016HTE12LQMDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：2SJ377(TE16R1,NQ)
  仓库库存编号：2SJ377NQCT-ND
  别名：2SJ377NQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06T4G
  仓库库存编号：NTB18N06T4GOS-ND
  别名：NTB18N06T4GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP18N06G
  仓库库存编号：NTP18N06GOS-ND
  别名：NTP18N06GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS9412
  仓库库存编号：FDS9412-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 7A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N40
  仓库库存编号：FQP7N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N30
  仓库库存编号：FQPF9N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N40
  仓库库存编号：FQPF7N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N50
  仓库库存编号：FQPF6N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N50TM
  仓库库存编号：FQB6N50TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N50
  仓库库存编号：FQP6N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI6N50TU
  仓库库存编号：FQI6N50TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06
  仓库库存编号：NTB18N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06G
  仓库库存编号：NTB18N06G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HAT2092R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2092R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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