产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3442
仓库库存编号:
785-1461-1-ND
别名:785-1461-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3932DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3932DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3932DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Ta) SOT-223
型号:
STN3N45K3
仓库库存编号:
497-10649-1-ND
别名:497-10649-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 40V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 480mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV250EPEAR
仓库库存编号:
1727-2303-1-ND
别名:1727-2303-1
568-12589-1
568-12589-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N25TM
仓库库存编号:
FDD6N25TMCT-ND
别名:FDD6N25TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FDT3N40TF
仓库库存编号:
FDT3N40TFCT-ND
别名:FDT3N40TFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
型号:
CSD87502Q2T
仓库库存编号:
296-43692-1-ND
别名:296-43692-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4S60
仓库库存编号:
785-1265-1-ND
别名:785-1265-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3N40TU
仓库库存编号:
FDU3N40TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RHK003N06T146
仓库库存编号:
RHK003N06T146CT-ND
别名:RHK003N06T146CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),5.5A(Tc) 3.1W(Ta),29W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86113LZ
仓库库存编号:
FDD86113LZFSCT-ND
别名:FDD86113LZFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.8A(Ta) 490mW(Ta) TO-236AB
型号:
PMV65UNER
仓库库存编号:
1727-2707-1-ND
别名:1727-2707-1
568-13226-1
568-13226-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGTR-ND
别名:TSM1N80CW RPGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGCT-ND
别名:TSM1N80CW RPGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGDKR-ND
别名:TSM1N80CW RPGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
PHN210T,118
仓库库存编号:
1727-1546-1-ND
别名:1727-1546-1
568-11062-1
568-11062-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
PHN210T,118
仓库库存编号:
1727-1546-6-ND
别名:1727-1546-6
568-11062-6
568-11062-6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5124PLTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 620mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR315PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR315PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FDU6N25
仓库库存编号:
FDU6N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 400V 2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 35W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3T40P
仓库库存编号:
785-1720-1-ND
别名:785-1720-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN1NF10
仓库库存编号:
497-14747-1-ND
别名:497-14747-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N40TM
仓库库存编号:
FDD3N40TMCT-ND
别名:FDD3N40TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta),7.5A(Tc) 2.3W(Ta),19W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC86116LZ
仓库库存编号:
FDMC86116LZCT-ND
别名:FDMC86116LZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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