产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
FDFS6N754
仓库库存编号:
FDFS6N754CT-ND
别名:FDFS6N754CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC86244
仓库库存编号:
FDC86244CT-ND
别名:FDC86244CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 490mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65ENEAR
仓库库存编号:
1727-2535-1-ND
别名:1727-2535-1
568-12974-1
568-12974-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 27W(Tc) I-Pak
型号:
STU3N45K3
仓库库存编号:
497-12362-ND
别名:497-12362
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RQ5E035BNTCL
仓库库存编号:
RQ5E035BNTCLCT-ND
别名:RQ5E035BNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ3N45K3-AP
仓库库存编号:
497-10969-1-ND
别名:497-10969-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3351-TL-W
仓库库存编号:
CPH3351-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3351-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGTR-ND
别名:TSM9409CS RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGCT-ND
别名:TSM9409CS RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGDKR-ND
别名:TSM9409CS RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STU3N65M6
仓库库存编号:
STU3N65M6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 1.8A 60V CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 1.2W(Ta) 3-CPH
型号:
NVC3S5A51PLZT1G
仓库库存编号:
NVC3S5A51PLZT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLWFTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.82A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C680NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C680NLTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.82A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C680NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C680NLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4S60
仓库库存编号:
AOI4S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 30W(Tc) MP-3A
型号:
RJK4002DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK4002DPD-00#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 83W(Tc) TO-220
型号:
AOT4S60L
仓库库存编号:
785-1268-5-ND
别名:785-1268-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF4S60
仓库库存编号:
AOTF4S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 83W(Tc) TO-262
型号:
AOW4S60
仓库库存编号:
AOW4S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU4S60
仓库库存编号:
AOU4S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc)
型号:
AOWF4S60
仓库库存编号:
AOWF4S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 83W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB4S60L
仓库库存编号:
785-1262-2-ND
别名:785-1262-2
AOB4S60
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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