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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 33W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R2K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R2K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001396820
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 33W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU50R2K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R2K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001396816
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 5A（Ta），15A（Tc） 2.2W（Ta）, 18W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF450NE7NH3XUMA1
  仓库库存编号：BSF450NE7NH3XUMA1-ND
  别名：SP001019350
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 500mA 1.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS1DN45K3
  仓库库存编号：497-10780-1-ND
  别名：497-10780-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 200mW（Ta） SST3
  
  型号：RK7002AT116
  仓库库存编号：RK7002AT116CT-ND
  别名：RK7002AT116CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1N60TF
  仓库库存编号：FQD1N60TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP1N60
  仓库库存编号：FQP1N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU1N60TU
  仓库库存编号：FQU1N60TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1N60TM
  仓库库存编号：FQD1N60TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 3.13W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB1N60TM
  仓库库存编号：FQB1N60TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 900mA（Tc） 21W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF1N60
  仓库库存编号：FQPF1N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 900mA（Tc） 21W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF1N60T
  仓库库存编号：FQPF1N60T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD3N40TF
  仓库库存编号：FDD3N40TFCT-ND
  别名：FDD3N40TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N25TF
  仓库库存编号：FDD6N25TFCT-ND
  别名：FDD6N25TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SIS902DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS902DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS902DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：BSP100,135
  仓库库存编号：568-6956-1-ND
  别名：568-6956-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 3.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AOH3110
  仓库库存编号：785-1486-1-ND
  别名：785-1486-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.3A（Ta），7.5A（Tc） 2.3W（Ta），19W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86106LZ
  仓库库存编号：FDMC86106LZCT-ND
  别名：FDMC86106LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 1.5W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2705
  仓库库存编号：AON2705-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3351-TL-H
  仓库库存编号：CPH3351-TL-HOSCT-ND
  别名：CPH3351-TL-HOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4606L
  仓库库存编号：AO4606L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4606L_DELTA
  仓库库存编号：AO4606L_DELTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：PHN210,118
  仓库库存编号：PHN210,118-ND
  别名：934033430118
  PHN210 /T3
  PHN210 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR315PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR315P L6327
  BSR315P L6327-ND
  SP000265405
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6nC @ 10V,
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