产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2304BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2304BDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2304BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2304BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG315N
仓库库存编号:
FDG315NCT-ND
别名:FDG315NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6961A
仓库库存编号:
FDS6961ACT-ND
别名:FDS6961ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8K12TB1
仓库库存编号:
SH8K12TB1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8M12TB1
仓库库存编号:
SH8M12TB1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.4A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL296SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL296SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942912
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 850mA(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS352P
仓库库存编号:
NDS352PCT-ND
别名:NDS352PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.8A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN361AN
仓库库存编号:
FDN361AN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Tc) 15W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD6632
仓库库存编号:
FDD6632-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6961A_F011
仓库库存编号:
FDS6961A_F011-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD06N10-225L-E3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-E3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6K12TCR
仓库库存编号:
MP6K12TCRCT-ND
别名:MP6K12TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6M12TCR
仓库库存编号:
MP6M12TCRCT-ND
别名:MP6M12TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),16.7W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD06N10-225L-GE3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-GE3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 5V,
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